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低触发电压的可控硅ESD保护结构的设计
资料介绍
当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行ESD的保护,但是一般的SCR保护结构很难满足现在低电压,以及一些特殊要求的集成电路ESD保护的要求。研究一种低触发电压的可控硅结构保护电路,通过和工艺寄生参数的结合,满足了低触发电压的设计要求。
IC design have many SCR structure for ESD protection,but routine SCR circuit don’t adapt of low power and some special paper research a LVTSCR ESD protection LVTSCR accommodate low trigger power by process parasitic parameter.
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| 低触发电压的可控硅ESD保护结构的设计.pdf | 911K |
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