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EEPROM 仿真 A 型设计

更新时间：2023-08-31 00:03:12 大小：980K 上传用户：xuzhen1 查看TA发布的资源 标签：eeprom 下载积分：1分评价赚积分（如何评价?）打赏收藏评论(0) 举报

资料介绍

本应用手册介绍了 A 型 EEPROM 仿真库。本文档描述了 A 型 EEPROM 仿真的结构和行为。然后，介绍了相关 API 的使用。此外，还向用户提供了相关代码。用户可以调用应用程序中的函数来写入、读取和修改数据。 1 引言许多应用程序都需要将数据存储在非易失性存储器中，这样，即使在系统再次上电后也可以重复使用或修改应用程序。EEPROM 是专为此类应用程序设计的。尽管 MSPM0 MCU 没有内部 EEPROM，但 MSPM0 内部闪存支持 EEPROM 仿真。与使用外部串行 EEPROM 相比，使用内部闪存的 EEPROM 仿真可节省引脚用量和成本。不同应用程序所需的存储结构不尽相同。本文中描述的 A 型解决方案适用于存储大“块”数据。如果应用程序需要存储少量“变量”数据，则可以参考 B 型解决方案。 EEPROM 与片上闪存的区别 EEPROM 可以多次擦除和写入存储器的单个字节，即使系统断电，已编程的位置也能长时间保留数据。闪存的密度高于 EEPROM，因此可以在芯片上实现更大的存储器阵列（扇区）。闪存擦除/写入周期是通过对各个存储单元施加时控电压来执行的。在擦除时，每个单元（位）读取逻辑值 1。因此，每个闪存位置在擦除后的读数为 0xFFFF。通过编程可以将存储单元更改为逻辑 0。可以重写任何字，将位从逻辑 1 更改为逻辑 0；但反过来则不行。此外，闪存有一项限制是必须按区域擦除存储器。对于 MSPM0 MCU，擦除分辨率是大小为 1k 字节的 “扇区”。 EEPROM 与闪存的一个主要区别是耐写次数。闪存耐写次数通常为 10000 次，远低于实际 EEPROM。 EEPROM 仿真是一种基于闪存的软件，旨在提供可满足应用程序需求的等效耐写次数。它还会仿真 EEPROM 的行为，从而简化读写数据的操作。典型的仿真方案涉及使用闪存的一部分并将其划分成多个区域。这些区域交替用于存储数据。由于闪存需要按块进行擦除，因此必须保留完整的闪存扇区用于 EEPROM 仿真。为了实现磨损均衡，至少使用两个扇区。 2 实现原理在本应用手册所述的实现方案中，扇区根据虚拟 EEPROM 的大小分为“记录”区域。每条记录都包含标头和数据。标头显示记录的状态。记录的其余部分（总记录大小减去标头的 8 字节大小）用于存储用户数据。一个扇区中的记录数为（扇区大小/记录大小）。对于 128 字节记录大小，一个扇区中有 8 条记录。图 2-1 显示了 EEPROM 仿真的结构。所有这些记录都用于存储同一虚拟 EEPROM 的数据。当尝试修改虚拟 EEPROM 的数据时，实际上会创建一条新记录，而不是在原来记录上进行修改。闪存中记录之间的差异体现在数据是新数据还是旧数据。换句话说，它们是同一数据的不同版本。它更像是 RAM 中存储器区域的备份。共有三个用户可配置的参数，可根据应用程序要求在 eeprom_emulation_type_a.h 中进行配置。这些参数会影响空间利用和耐写次数，稍后将对此进行分析。 • 记录大小：64 字节、128 字节或 256 字节 • 使用的扇区数：至少 2 个 • 扇区地址 EEPROM 仿真的基本行为如图 2-2 所示。当执行写入操作时，用户的数据将作为新记录存储到闪存中。执行读取操作时，将读取最新记录。仅当扇区已满时才执行擦除操作。