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纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性分析
资料介绍
随着电子元器件的尺寸在不断的发生变化,使得电容和电压不断的降低,纳米CMOS电路对单粒子效应(SEE)的敏感性更高,并且由于单粒子的串扰和多结点翻转现象明显增加,使得工作的可靠性受到一定的影响。为了更好的保证纳米CMOS电路在SEE下的可靠性,从多方面来对其进行分析和研究,最后通过研究发现,影响纳米CMOS电路在SEE下的可靠性的焦点可能是:抗单粒子瞬态的加固研究、CMOS电路的抗辐射加固设计研究、仿真及加固研究等。
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| 纳米CMOS电路在单粒子效应下可靠性分析.pdf | 424K |
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