积分商城

最新搜索： ultraedit 格力空调 hi-1573 stm32f407zet6 autocad CAM Topsolid
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 抗辐照CMOS放大器集成电路设计技术（英文）
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

抗辐照CMOS放大器集成电路设计技术（英文）

更新时间：2020-05-20 07:45:25 大小：3M 上传用户：六3无线电查看TA发布的资源 标签：cmos放大器集成电路 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

抗辐射CMOS放大器集成电路作为航天器的核心应用元器件越来越多用在宇航领域。为了更好地研究宇宙辐射环境中航天器抗辐照CMOS放大器集成电路性能和各种效应,并在太空辐射所产生机制的基础上,从工艺和设计方面提出了抗辐照CMOS放大器集成电路抗辐照加固设计方法。在太空环境中,航天器中的集成电路存在CMOS元器件的线性跨导gm减小、阈值电压偏离、转角1/f噪声幅值增加和衬底的漏电流增加。所以提出了新的抗辐照CMOS放大器集成电路的抗辐照集成电路的加固方法。通过该设计方法研制了抗辐照CMOS放大器集成电路,经过测试验证满足航天应用的要求。

As CMOS amplifier radiation harden circuit has been more and more utilized in the domain of the purpose of better researching characteristics of efficacy-losing the CMOS amplifier radiation harden circuit radiated in the space,meeting the requirement of radiation hardening in the way of designing new CMOS amplifier radiation harden new radiation harden differential circuit stiucture design and hardened layout design was carried out with treatment,which was applied in CMOS amplifier radiation harden circuit,and solved the CMOS semiconductor components of threshold voltage deviation,transdiode decreasing,substrate leakage current resul...

部分文件列表

文件名 大小
抗辐照CMOS放大器集成电路设计技术（英文）.pdf 3M

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号