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ccm反激同步整流芯片的预测关断控制电路设计
资料介绍
近年来随着电子技术的发展，电路的工作电压越来越低、电流越来越大，采用通态电阻极低的专用功率 MOSFET取代整流二极管以降低整流损耗逐渐成为主流，其中低压大电流应用对连续导通模式的同步整流需求更为迫切，也是当前的研究热点。
本论文重点研究设计一种具有预测关断功能的连续导通模式同步整流控制电路。首先分析了反激式开关电源中同步整流电路的发展现状及主要设计方法，并结合整流 MOSFET的开关过程和传统同步整流电路所体现出来的问题，设计了一种可以改善死区时间设定和应对变频条件的预测控制方案，可以有效提升电源效率。接着基于伏秒平衡原理建立预测关断控制电路核心电路模型，并对模型进行仿真验证。研究了固定频率和变化频率条件下的预测控制方案，利用抗谐振电路做出传统断续导通模式兼容方案设计。同时依照所提出方案分别设计了对应的具体实现电路，并对电路进行了仿真分析。最后，论文还设计了预测控制电路的版图并进行了后仿真，验证了所设计电路的有效性仿真验证表明：预测控制电路能够在较宽的次级输出电压和大功率范围内实现预测关断整流次级输出电压范围5V-28V，功率范围40W-100W；频率范围为65kHz-140kHz；预测关断整流电路可以自动跟踪死区时间；预测关断整流电路伏秒平衡实现SR导通时间控制，SR驱动关断阈值与MOSFET的RD（n无关，MOSFET体二极管的导通时间最短可达500ns；异常条件下保护周期数为15个开关周期，该期间禁用同步整流；预测关断整流电路能够兼容断续导通工作模式，满足设计指标要求。
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| ccm反激同步整流芯片的预测关断控制电路设计.pdf | 14M |
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