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AVR-系列单片机内部存储器讲解

更新时间：2018-08-14 21:43:54 大小：34K 上传用户：杨义查看TA发布的资源 标签：avr 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(1) 举报

资料介绍

该文档为AVR-系列单片机内部存储器讲解文档，

AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器，它们分别为：Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器。
    Flash 存储器为1K～128K 字节，支持并行编程和串行下载,下载寿命通常可达10,000 次。由于AVR 指令都为16 位或32 位，程序计数器对它按字进行寻址，因此FLASH 存储器按字组织的，但在程序中访问 FLASH 存储区时专用指令LPM 可分别读取指定地址的高低字节。
    寄存器堆（R0～R31）、I/O 寄存器和SRAM 被统一编址。所以对寄存器和I/O 口的操作使用与访问内部SRAM 同样的指令。32 个通用寄存器被编址到最前,I/O 寄存器占用接下来的64 个地址。从0X0060 开始为内部SRAM。外部SRAM 被编址到内部SRAM 后。
    AVR 单片机的内部有64～4K 的EEPROM 数据存储器，它们被独立编址，按字节组织。擦写寿命可达100，000 次。

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