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如何使用 MSPM0 器件上的漏极开路 IO (ODIO)与高达 5V 的信号进行连接

更新时间：2023-08-31 00:34:40 大小：465K 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：mspm0 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

说明 该示例演示了如何使用 MSPM0 器件上的漏极开路 IO (ODIO)与高达 5V 的信号进行连接。通过使用外部上拉电阻 器，开漏 IO 允许在高于 MSPM0 VDD 电源电压的电压电平下跨多个电压域进行通信。 图 1 显示了该示例中使用的外设的功能方框图。 所需外设 该应用最多可以使用两个开漏 IO。 表 1. 子块功能 外设使用 说明 IO 2 个 GPIO 引脚 PA0 和 PA1，只能使用 5V 容限开漏 IO 兼容器件 根据表 1 中的要求，该示例与表 2 中的器件兼容。相应的 EVM 可用于原型设计。 表 2. 兼容器件 EVM MSPM0Lxxx LP-MSPM0L1306 MSPM0Gxxx LP-MSPM0G3507 ZHCACB5 – MARCH 2023 Submit Document Feedback 5V 接口 1 English Document: SLAAE82 Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated 设计步骤 1. 连接相应的跳线。 2. 确定应用所需的上拉电阻。 a. 所需的上拉强度取决于应用的时序要求和连接的电容。要获得更大的电容，您需要具有更强（即低电阻） 的上拉。关于确定确切的上拉电阻的讨论超出了本文档的范围，但可以在 I2C 总线上拉电阻器计算应用手 册中找到。 3. 在 SysConfig 中通过软件配置在这些引脚上使用的外设（例如 UART、I2C 或计时器）。 4. 根据使用的外设编写应用程序代码。 设计注意事项 1. 上拉电阻器：需要使用一个上拉电阻器为 ODIO 上的 I2C 和 UART 功能输出高电平。 2. 驱动强度控制：这不适用于 ODIO 类型。 附加资源 • 下载 MSPM0 SDK • 了解有关 SysConfig 的更多信息 • MSPM0L LaunchPad • MSPM0G LaunchPad

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如何使用_MSPM0_器件上的漏极开路_IO_(ODIO)与高达_5V_的信号进行连接.pdf 465K

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