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利用 MOS管设计一种基于H桥的电机驱动电路的改进方案
资料介绍
在飞思卡尔比赛中电机驱动肯定必不可少，在对比了大多数用集成的MOS驱动半桥设计中，根据芯片手册和芯片内部的结构做出的驱动不管是仿真还是实物都不尽人意，归根结底是高侧MOS的重载没有得到很好的解决，所谓的重载问题就是高侧MOS导通时压降很小，源极接近于VDD，而MOS要导通Vgs需要大于开启电压，这就导致了高侧MOS没有完全导通，还处于高阻区，电压大部分降在MOS上了。
一般的做法是利用自举电路将电压抬高，自举电路是直流与方波通过二极管和电容的耦合。个人感觉不好使，通过几次的改进，用三极管将隔离升压芯片的电压以上拉的形式导通MOS，因为导通MOS的栅极基本不需要电流，所以升压芯片没有太大的负担，NPN与PNP的配合使用，逻辑上也得到了很好的解决，即输入的控制信号逻辑同时期为1或0时4个MOS都不导通，避免同侧MOS将电源短路。这个电路已经同过理论、实践和模电老师的法眼（本人大二，大一时已自学模电），但是还是决定用7971，原因有的悲催
部分文件列表
| 文件名 | 文件大小 | 修改时间 |
| 复用H桥.PcbDoc | 13916KB | 2019-12-20 08:46:22 |
| 复用H桥.SchDoc | 169KB | 2019-12-20 08:46:12 |
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