积分商城

最新搜索： solidworks2020 5630DSA AD pcb封装库 RK3568 FMDIDE VQFN24
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 0.8um高压BCD电路漏电失效改善
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

0.8um高压BCD电路漏电失效改善

更新时间：2020-06-06 08:02:47 大小：3M 上传用户：songhuahua查看TA发布的资源 标签：电路漏电 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

0.8um高压BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)电路存在漏电失效,其失效原因是IMD(InterMetal Dielectric)平坦化不良,造成金属2残留短路.通过SOG(spin-on-glass)二次平坦化工艺,大幅改善了IMD的平坦化效果,将平坦化因子由0.35提升到0.90,杜绝了金属2残留,较好地解决了漏电问题,提高了电路成品率.

The leakage failure existing in0.8um high voltage Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)circuits iscaused by the metal2residual during the poor planarization of inter-metal dielectric(IMD)and the resultedcircuit-short of different the paper,by developing the twice planarization technology of spin-on-glass(SOG),the planarization effect of IMD is significantly improved with an increasingdegree of planarization from0.35to0.90and an elimination of the a result,the leakagefailureproblem is successfullysolved and the yield of circuits is improved.

部分文件列表

文件名 大小
0.8um高压BCD电路漏电失效改善.pdf 3M

【关注B站账户领20积分】

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号