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关于MOSFET驱动电阻的选择

更新时间：2018-06-19 20:33:22 大小：50K 上传用户：huangtongyue查看TA发布的资源 标签：mosfet驱动电阻 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

在MOSFET OFF状态时为了保证栅极电荷快速泻放，此时阻值要尽量小，这也是Rsink<Rsource的原因。通常为了保证快速泻放，在Rg上可以并联一个二极管。当泻放电阻过小，由于走线电感的原因也会引起谐振（因此有些应用中也会在这个二极管上串一个小电阻），但是由于二极管的反向电流不导通，此时Rg又参与反向谐振回路，因此可以抑制反向谐振的尖峰。这个二极管通常使用高频小信号管1N4148。 实际使用中还要考虑MOSFET栅漏极还有个电容Cgd的影响，MOSFET ON时Rg还要对Cgd充电，会改变电压上升斜率，OFF时VCC会通过Cgd向Cgs充电，此时必须保证Cgs上的电荷快速放掉，否则会导致MOSFET的异常导通。 

部分文件列表

文件名文件大小修改时间
关于MOSFET驱动电阻的选择.doc80KB2011-10-31 23:10:34

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