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基于2ω0锁定放大结构的硅波导导纳检测电路

更新时间：2020-10-27 13:04:56 大小：4M 上传用户：gsy幸运查看TA发布的资源 标签：检测电路 下载积分：1分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计了一种硅波导导纳检测电路,通过检测光子器件硅波导导纳变化,实现光功率监测。检测电路采用基于目标信号二次谐波(2ω0)频率的锁定放大结构。目标信号由开关式相敏检测器和跨阻放大器进行频率合成与放大,在2ω0频率处由二阶OTA-C带通滤波提取,最后硅波导导纳的改变量由提取的电压信号变化量表示。目标信号在2ω0频率处被提取可以减小1/f噪声对其干扰,从而提高硅波导导纳的分辨率。仿真结果表明,在80MHz工作带宽内测得导纳分辨率为0.8pS。

A silicon waveguide admittance detecting circuit was designed with 0.18μm complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)technology provided by the Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC).The designed circuit can be used to monitor optical power by detecting the change of the silicon waveguide admittance of the photonic the proposed circuit,a second-harmonic frequency lock-in architecture was target signal is frequency-synthesized by a switch-mode phase-sensitive detector and amplified by a transimpedance amplifier,and then extracted by a second-order OTA-C band-pass filter at the second-harmonic ally,the variation of the silicon waveguide admittance is represented by the variation of the extracted voltage n the target signal is extracted at the second-harmonic frequency,the effect of 1/f noise on the target signal can be reduced,and thus the resolution of the silicon waveguide admittance can be ulation results show that the resolution of waveguide admittance is 0.8 pS within the operating bandwidth of 80 MHz.

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