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TFT-LCD的基本原理与制造技术

更新时间:2020-08-11 09:03:03 大小:30M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 标签:TFT-LCD 下载积分:1分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

薄膜晶体管(TFT)发展历史的简要回顾液晶显示(LCD)基本原理概述;非晶硅薄膜晶体管(TFT)技术:多晶硅薄膜晶体管(TFT)技术主要的关键技术与难点;TFT常用的工艺制造技术与设备已有的各类设计工具;

TFT:Thin-Film transistor(薄膜晶体管)

在过去的十几年里,TT器件已经逐步发展成为了平板显示产业的“粮食”或“原料”,就如同早些年硅芯片被称作电子计算机产业的“粮食”或“原料”一样。目前全世界有几十个巨大的制造工厂在批量生产平板显示器,每一个工厂一年的产量都可能达到几百万个,而每一个平板显示器中都包含了数以百万计的TFT器件。

TFT器件的发展历史最早可以追溯到上个世纪的1930年代,Lilienfeld在1934年申请了第一个场效应器件的发明专利,这也是第一个MOS场效应晶体管的发明专利,其栅电极采用的是金属材料铝(A1),栅介质是氧化铝(A12O3),有源层是氧化亚铜(Cu0),如下图所示。

由于 Lilienfeld没有认识到半导体的材料特性及其界面态的影响,因此他的发明专利仅仅停留在概念阶段,迟迟未能得到真正的实现。1935年Heil提出了一种新的场效应器件结构,它采用的有源层材料是碲、氧化亚铜等材料,如下图所示。

二次世界大战中,Bel¥Lab投入了大量人力来研究固体电子开关,以取代有线电话系统中的机械开关,其中在1939年 Shockley基于对 Shottky二极管的认识,提出了一种利用 Shottky势垒耗尽区来控制电流通断的新型场效应器件结构,这就是后来人们熟知的 MESFET的原型


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