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TFT-LCD的基本原理与制造技术
资料介绍
薄膜晶体管（TFT）发展历史的简要回顾液晶显示（LCD）基本原理概述；非晶硅薄膜晶体管（TFT）技术：多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术主要的关键技术与难点；TFT常用的工艺制造技术与设备已有的各类设计工具；
TFT:Thin-Film transistor（薄膜晶体管）
在过去的十几年里，TT器件已经逐步发展成为了平板显示产业的“粮食”或“原料”，就如同早些年硅芯片被称作电子计算机产业的“粮食”或“原料”一样。目前全世界有几十个巨大的制造工厂在批量生产平板显示器，每一个工厂一年的产量都可能达到几百万个，而每一个平板显示器中都包含了数以百万计的TFT器件。
TFT器件的发展历史最早可以追溯到上个世纪的1930年代，Lilienfeld在1934年申请了第一个场效应器件的发明专利，这也是第一个MOS场效应晶体管的发明专利，其栅电极采用的是金属材料铝（A1），栅介质是氧化铝（A12O3），有源层是氧化亚铜（Cu0），如下图所示。
由于 Lilienfeld没有认识到半导体的材料特性及其界面态的影响，因此他的发明专利仅仅停留在概念阶段，迟迟未能得到真正的实现。1935年Heil提出了一种新的场效应器件结构，它采用的有源层材料是碲、氧化亚铜等材料，如下图所示。
二次世界大战中，Bel￥Lab投入了大量人力来研究固体电子开关，以取代有线电话系统中的机械开关，其中在1939年 Shockley基于对 Shottky二极管的认识，提出了一种利用 Shottky势垒耗尽区来控制电流通断的新型场效应器件结构，这就是后来人们熟知的 MESFET的原型
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