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MOS测试原理解析

更新时间：2020-12-13 11:06:02 大小：11M 上传用户：xuzhen1查看TA发布的资源 标签：mos 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层一半导体-场效晶体管MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）
MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的 MOSFET，通常又称为 NMOSFET与 PMOSFET，其他简称尚包括 NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅
（SiO2）绝缘层，在漏一源极间的绝缘层上再装上一个铝电极作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的（大多数管子在出厂前已连接好）它的栅极与其它电极间是绝缘的

VTH：使MOS開始導通的輸入電壓稱THRESHOLD VOLTAGE。由於電壓在VGs（T）
以下，POWER MOS處於截止狀態·因此VGs（TH）也可以看成耐訊能力的一項参數VGs（TH）愈高代表耐雞訊能力愈強·但是如此要使元件完全導通，所需要的電壓也會增大·必須做適當的調整，一般約2-4V BJT導通電壓VBE=0.6V比較·其耐訊能力相當良好。該特性與溫度成反比

RDSON：導通電阻值，低壓 POWER MOSFET最受矚目之参數
RDS（on）RSOURCE+ Channel RACCUMULATION+ RFET +R DRIFT（EPD）+
RSUBSTRATE

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