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一种精简的高速率功率MOS驱动器

更新时间：2020-06-13 05:19:21 大小：419K 上传用户：守着阳光1985查看TA发布的资源 标签：MOS驱动器 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路,利用电阻调节驱动MOS管栅极电容充放电的时延,来产生极短的死区时间,可精简电路结构,提高驱动速率,并且无需电流偏置,就能有效降低电流源噪声.基于0.4μm BCD工艺,经Cadence环境下进行仿真验证.结果表明,该驱动电路能够产生10ns以下的死区时间,且传输时延低于70ns.对采用该驱动电路的一款功率因数校正芯片进行测试,驱动输出开关信号的上升沿时间为90ns,下降沿时间为55ns.功率因数可达0.995,总谐波失真为6.5%.

A novel gate driver with a low transmission delay and ultra-low dead-time is proposed for driving power controls the charge time and discharge time of the gate capacitor for minimizing dead-time,and no extra current bias and logic circuits are required,so it can simplify the driver circuit and reduce the noise in the current ed on the 0.4 μm BCD process,the simulation is done in the Cadence environment,with good performance observed where the dead-time is below 10 ns and the transmission delay is below 70 n a Power Factor Correction（PFC） IC which utilizes this gate driver is tested for validation,and the test results indicate that the trise and tfall are 90 ns and 55 ns...

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一种精简的高速率功率MOS驱动器.pdf 419K

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