推荐星级:
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

介观LC电路在辐射场作用下约化密度方程的推导

更新时间:2020-10-19 00:57:57 大小:244K 上传用户:zhengdai查看TA发布的资源 标签:lc电路 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

介观LC电路不可避免会处于辐射场中,把辐射场看成是由无穷多谐振子组成的,选择介观LC电路为研究对象。本文从介观LC电路与辐射场相互作用的哈密顿量出发,把辐射场看成库,通过对库求迹,推导了介观LC电路在辐射场作用下的密度方程。

Quantum LC circuit locates inevitably in radiation field;the thermal radiation field is a reservoir which is described by infinite harmonic oscillators, and quantum LC circuit is a system to be investigated. From the interaction between mesoscopic LC circuit and radiation field, the radiation is reservoir. We trace out the reservoir and deduce the equation of density.

部分文件列表

文件名 大小
介观LC电路在辐射场作用下约化密度方程的推导.pdf 244K

【关注B站账户领20积分】

全部评论(0)

暂无评论

上传资源 上传优质资源有赏金

  • 打赏
  • 30日榜单

推荐下载