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IGBT驱动与选型

更新时间：2020-01-03 22:54:17 大小：6M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：igbt驱动 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

IGBT原理及其特性

IGBT原理：IGBT（Instlated Gate Bipolar Transistor），也称为绝缘栅双极晶体管，是一种复合了功率场效应管和电力品体管的优点而产生的一种新型复合器件，它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点，这使得IGBT成为近年来电力电子领域中尤为嘲目的电力电子驱动器件.

并且得到越来越广泛的应用。

IGBT选型说明：

（1）选择功率型场效应管首先要考虑参数的是集电极一发射极向的电压cas和集电极电流1c。产品的数据手册给出的集电极电流，都是在特定的实验条件下的参考值，真正的集电极电流还和门极一发射极间的电压有关，如下图所示：

（2）热传导特性（Thermal Characteristics）：热阻简单地说就是导热性能。有一个形象的比喻：热阻就像是电阻，热流就像是电流，温度就好比是电压.Junction temp（结温）即是半导体的核心温度。一般来说，结一壳热阻是给定的，结一空气热阻也是给定的，可以通过在空气和金属壳之间并联一个较小的热阻（即散热器）来降低温差。以IGBT模块热导性如下图所示：

（4）动态特性（Dynamic Characteristics）

关于这三个电容的位置和关系，如下图所示。半导体电路设计中一个很麻烦的问题就是无处不在的小电容，这些电容在低频的应用中不存在什么问题，但在高频电路中，就成为影响电路性能的主要杀手。门极驱动功率和输入电容有关。


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