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IGBT模块驱动及保护技术.pdf

更新时间：2010-10-20 12:49:43 大小：172K 上传用户：hhzzhh0502查看TA发布的资源 标签：IGBT模块 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(1) 举报

资料介绍

IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万pF），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。 IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。

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IGBT模块驱动及保护技术.pdf 172K

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全部评论(1)

  • 2022-02-24 14:49:33theezoe

    不是书籍，就是一篇哪里抄来的论文

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