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太赫兹片上集成放大器研究进展

更新时间：2020-10-28 11:16:07 大小：542K 上传用户：zhengdai查看TA发布的资源 标签：放大器 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

针对当前太赫兹科学与技术发展的状态和瓶颈问题,重点讨论太赫兹电路中的核心部件——片上集成放大器的研究进展情况。根据太赫兹芯片设计和加工不同基底材料,比较了磷化铟和砷化镓制成化合物太赫兹放大单片与体硅和锗化硅制成的硅基片上集成放大器两大类,并对不同材料体系下的电路拓扑和指标进行了分析和总结。

In this paper, the current development status and bottleneck problems of terahertz science and technology are presented. The emphasis of discussion is on research progress of the core component in terahertz circuits, monolithic integrated power amplifier. According to the kinds of base material in integrated circuit(IC) design, compound including InP and GaAs terahertz amplifier IC are compared with those made by silicon including bulk CMOS and SiGe. Basing on this category standard by material, the performances of terahertz amplifier IC are analyzed and concluded in the aspects of circuit topology and specifications.

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