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级联拓扑特色及应用
资料介绍
功率 MOSFET器件已经广泛应用于电源系统及功率变换装置中，然而很多工程师由于非半导体专业而对其结构和特性缺乏了解，除去常规知道的有导通电阻，并造成损耗外，还有开关损耗及驱动损耗。但是 MOSFET有一重要特性即其源漏电压升高增大2倍时，其Rds（on）会增大大约4倍。因此在处理低压大电流输出的同步整流时，怎样去选用最低耐压的 MOSFET而达到最佳效率，却往往做不好。
在DC/DC的设计研制中，输出电压是要稳定的。而输入电压是变化的般是变化一倍。这就使得变压器工作磁密也呈现一倍的变化。在低端输入电压下，输入电流最大，磁密最低，而电流密度最高。在高端输入电压下，则磁密最高而电密却最低。因此变压器的磁芯及导线都不是处在最佳工作状态。若是输入电压变化三倍甚至四倍时，此现象会更严重。如何使变压器中磁芯及导线都工作在最佳状态呢？
基于上述考虑，SynQo公司的工程师设计出一种两级联合的DC/DC电路新拓扑，并获成功，且申请了专利。它的电路拓扑原理图见图1。第一级它采用同步降压的 Step down电路拓扑。由于输入电压较高，处理的电流较小，又采用了预检测开关状态，以便提前或滞后驱动 MOSFET的技术，进一步提升效率。该级可达到96%以上的效率。它将输入电压降至某一中间值，例如对于36-75V输入可降至28V。注意此级输出只使用滤波电感而不用滤波电容。第二级则采用了交互工作的两个正激电路。变压器二次侧同步整流后的输出处只用滤波电容，而不需电感。
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