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高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用分析
资料介绍
我们主要对高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用进行具体的分析，讨论高压集成电路的工艺特性，对离子显示板中显示驱动的主要工作原理和内部结构进行研究，提出一种新型的BCD工艺，主要采用了新型的薄栅氧HV-nVDMOS和氧作厚栅HV-pMOS器件，这是一种扫描驱动集成电路，能减少传统工艺中的三个光刻版、一次氧化工艺、两次注入等，大大减轻了生产成本的预算，提高了经济效益，通过实验测试表明，HV-pMOS和HV-nVDMOS管的耐压性都在165V以上，完全符合系统设计的标准范围和数据要求。数据显示，当电源电压在负载200pF、90V时，PDP扫描驱动中芯片的下滑和上升之间的时间分别为30和165ns，这也进一步证实了芯片的驱动电流能力比较强大。
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| 高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用分析.pdf | 341K |
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