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晶闸管强触发电路设计
资料介绍
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小（小于4 ns）,具有较高的稳定性和可靠性。
In order to study the characteristics of thyristor,basing on MOSFET with fast switching and high pulsed current,high current gate circuit of thyristor has been k gate current is varied from 0.35～39.6 A,leading edge from 35～540 ns and di/dt from 3.4～83.3 A/ults indicate that the circuit is stable and reliable for triggering thyristor and the jitter of pulsed current is less than 4 ns.
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