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晶闸管强触发电路设计
资料介绍
为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小（小于4 ns）,具有较高的稳定性和可靠性。
In order to study the characteristics of thyristor,basing on MOSFET with fast switching and high pulsed current,high current gate circuit of thyristor has been designed.Peak gate current is varied from 0.35～39.6 A,leading edge from 35～540 ns and di/dt from 3.4～83.3 A/us.Results indicate that the circuit is stable and reliable for triggering thyristor and the jitter of pulsed current is less than 4 ns.
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| 晶闸管强触发电路设计.pdf | 228K |
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