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硅基封装限幅低噪声放大器电路技术研究
资料介绍
本文介绍了一款X波段硅基异构多层封装电路,采用MEMS半导体工艺实现,集成了低噪声放大器、限幅器、均衡 器和电源调制等多种芯片.在8-12 GHz频带内,接收噪声≤1.5 dB,接收增益典型值为21dB ,耐功率达到10W ,体积为 8. 3 mm×4. 3 mm× 1.3 ram.该电路采用新颖的三维封装形式,具有覆盖频带宽、封装体积小、易使用等优点,可用于接收机前端, 简化用户装配,降低调试难度.
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| 硅基封装限幅低噪声放大器电路技术研究.pdf | 4M |
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