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硅基封装限幅低噪声放大器电路技术研究

更新时间:2020-06-20 10:58:55 大小:4M 上传用户:xiaohei1810查看TA发布的资源 标签:低噪声放大器 下载积分:5分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文介绍了一款X波段硅基异构多层封装电路,采用MEMS半导体工艺实现,集成了低噪声放大器、限幅器、均衡 器和电源调制等多种芯片.在8-12 GHz频带内,接收噪声≤1.5 dB,接收增益典型值为21dB ,耐功率达到10W ,体积为 8. 3 mm×4. 3 mm× 1.3 ram.该电路采用新颖的三维封装形式,具有覆盖频带宽、封装体积小、易使用等优点,可用于接收机前端, 简化用户装配,降低调试难度.

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