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2N7002数据手册
资料介绍
这些N−通道增强模式场效应晶体管采用onsemi专有的高单元密度DMOS技术生产。这些产品旨在最大限度地减少−状态电阻,同时提供坚固、可靠和快速的切换性能。它们可用于大多数需要高达400 mAdc的应用中,并可提供高达2 A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电流−低电压−目前的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
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2N7002.PDF | 284K |
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