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SiC MOSFET驱动电路的设计
资料介绍
本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。
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| 文件名 | 大小 |
| SiC_MOSFET驱动电路的设计.pdf | 1M |
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