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步进电机驱动芯片 TB6600-HG芯片中文说明书
资料介绍
TB6600HG 大功率、高细分 两相混合式步进电机驱动芯 两相混合式步进电机驱动芯片
TB6600-HG芯片中文说明书
一、特性： ● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron＝0.4Ω ● 高耐压 50VDC，大电流 4.5A（峰值） ● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16） ● 自动选择衰减方式 ● 内置温度保护及过流保护
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TB6600HG
TB6600HG
大功率、高细分
两相混合式步进电机驱动芯片
一、特性：
● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.4Ω
● 高耐压50VDC，大电流4.5A（峰值）
● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16）
● 自动选择衰减方式
● 内置温度保护及过流保护
二、管脚图：
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北京博远华控电子科技有限公司
2014年03月
免费提供技术支持 http://www.bj6128.com
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