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新型低功耗无片外电容LDO

更新时间：2019-11-30 11:19:22 大小：5M 上传用户：sun2152 查看TA发布的资源 标签：电容 ldo 下载积分：0分评价赚积分（如何评价?）收藏评论(1) 举报

资料介绍

低压差（Low Dropout，LDO）线性稳压器具有结构简单、低噪声、低功耗以及较小封装和较少的外围应用器件等突出优点，在便携式电子产品中得到广泛的应用。为了稳定输出电压值，传统的LDO通常需要巨大的负载电容，而负载电容无法集成在芯片内部，随着系统集成度的提高，减少片外元件的需求激发了人们研究无片外电容LDO的热情，因此，无片外电容的LDO开始成为LDO研究的最新热点。然而，由于无片外电容LDO的实现在稳定性和瞬态响应方面有着更高的要求，系统各种性能参数的折中更加具有挑战性，最突出的就是高速反应能力和功耗之间的折中。

本文设计的LDO输出电压为3.3 v，最大输出电流为100 mA，工作电压可在3.5 V到5.5 V之间.系统采用误差放大器，微分器和大米勒电容组成并行控制环路，通过比例调节和微分调节结合的方式分别控制输出的稳态和瞬态误差。其中微分器电路在瞬间提供大的转换电流，克服了无片外电容的LDO在负载和电源电压变化时输出电压跳变过大的问题；同时这种结构对误差放大器的带宽和转换速率要求相对较低，系统的功耗大大降低。芯片采用CSMC公司

0.5um工艺模型设计并流片。测试结果表明，在5V工作电压下，当负载电流从100 mA在1 us内下降到1mA时，输出电压变化小于600 mV；同时整个电路的静态电流小于4.5A.测试结果验证了电路设计的正确性。

本文在第一章和第二章分别介绍了当今电源管理芯片市场的现状和LDO的一般结构；第三章讨论LDO中各个模块的设计；在前面三章的基础上，第四章进一步讨论了无片外电容LDO的各种结构的对比和设计的思路；第五章提出了本文提出的无片外电容LDO结构及其仿真测试结果：第六章给出了结论和展望。