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片上宽负载电容范围的ldo设计
资料介绍
本设计基于传统的LDO结构，着重研究了FVF型结构LDO的优缺点，然后通过分析了前人设计的三级运放的频率补偿方案，提出了一种适用于宽范围负载电容的FVF型LDO DSMFC频率补偿方案，通过设置一个零点来补偿次主极点产生的相位裕度降低问题，同时分六种负载情况分别分析相应条件下的零极点位置和稳定性问题。
本设计还针对瞬态响应特性以及电源抑制比特性分别进行了研究。通过详细分析了运放和功率管寄生效应对LDO电源抑制特性的影响，设计了一种复用SR&PSR增强电路：同时为了提高LDO电路的精度，减少带隙基准电压的偏移，设计了一种具有高PSR特性的带隙基准电路
基于SMIC 0.13um CMOS混合信号工艺，本论文设计了一款应用于片上的宽范围负载电容的LDO电路。仿真结果显示，电源电压的工作条件为V=1.4V~3/，输出电压为1.2V，最大输出负载电流= 50md，可以支持的输出端负载电容的变化范围为C，=50pF~SnF，典型工艺下的静态电流为65uA。在增加PSR增强和瞬态增强电路的条件下，高频处的电源抑制比提高了21dB，负载瞬态变化时的最大输出电压变化量为40mv.
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 片上宽负载电容范围的ldo设计.pdf | 6M |
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