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IR2118(S)
资料介绍
该IR2117 / IR2118 （ S）是一种高电压、高转速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存CMOS技术使结构更为牢固，逻辑输入兼容与标准CMOS输出，输出驱动器为Tures的高脉冲电流缓冲极，最小交叉传导。浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，最高驱动N沟道功率MOSFET的栅极电压为600V.
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| IR2118_datasheet.pdf | 154K |
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