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IGBT驱动电路 M57962L的剖析
资料介绍
IGBT是 一种 新 型功 率器 件 ，即 绝 缘栅 极 双 极 集 体 管 (Iso—latedGateBipolarTransistor)，是 上 世 纪 末 出 现 的 一 种 复 合 全控型 电 压驱 动式 电力 电子器 件 。它将 GTR和 MOSFET 的 优点集于一身 ：输 入阻抗高 ，开关频率高 ，工作 电流大等，在变频器 、开关 电源 ，弧焊 电源等 领域 得 到广 泛地 应用 。
IGBT具 有 一个 2．5V～5．0V的 阀 值 电压 ，有 一 个 容 性 输入阻抗 ，因此 IGBT对 栅 极 电荷集 聚很 敏感 。 故驱 动 电路 必 须可靠 ．要 保 证有 一 条低 阻抗 值 的放 电回路 ，同时驱 动 电源 的 内阻一 定 要小 ，即栅 极 电容 充 放 电 速 度 要 快 ，以保 证 VGE有 较陡 的前 后沿 ，使 IGBT的开关 损耗 尽 量要 小 。
在 IGBT承 受 短 路 电 流 时 ，如 果 能 及 时关 断 它 ，则 可 以对IGBT进行 有 效 保 护 。识 别 IGBT是 否 过 流 的 方 法 之 一 ，就 是检 测其 管 压降 VCE的 大小 。IGBT在开 通时 ，若 VCE过 高则发生 短路 ．需立 即关断 IGBT。在 过流 关断 IGgl"时 ，由于 IGBT中电流 幅度 大 ，若 快速 关 断 时 ，必 将 产生 Ldi／dt过 高 ，在 IGBT两端 产生 很高 的尖 峰 电压 ，极 易 损 坏 IGBT，因 此就 产 生 了“软慢关 断 ”方 法 。M57962L驱 动 电路 就 是 依 照 上 述 理论 进 行 没计的。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| IGBT_M57962L.pdf | 91K |
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