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IGBT的吸收电路
资料介绍
八十年代初，功率模块制造技术的突破使交流变频调速器的制造和应用都得到了飞速发展，尤其是IGBT（insulated gate birolar transistor）功率模块近几年的发展，第三代IGBT改进了通态电压和开关特性的关系，实现了更低的损耗和更高的开关速度在大量的变频器中应用，这标志着IGBT时代的到来和GTR时代的结束。
2尖峰电压产生的原因
2.1关断尖蜂电压
关断尖峰电压是由于通过IGBT的电流，在IGBT关断时被中断而产生的瞬态高电压，图1所示为感性负载半桥电路，假定上桥Q，截止，下桥Q，处于开关状态，若主回路为理想电路，且不存在杂散电感，当下桥Q，由导通变为截止时，由于感性负载电流不能通过，将通过上桥续流二极管Dr，以构成电流回路，此时下桥电压Vcie，将增加到上桥主回路电压Vcc时，才能使上桥续流二极管D，导通，但是实际电路中存在着杂散电感，如图1所示的等效杂散电感L，.在下桥截止时，L，阻止负载电流通过和通过主回路电流率成正比，此电压与主回路叠加形成尖峰电压，此尖峰电压将超过IGBT的Vces额定值，并能使IGBT损坏，在实际应用中杂散电感L，分散在整个电路中，但其效果方面是等同的。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| IGBT的吸收电路.pdf | 984K |
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