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电子元器件系列知识—IGBT
资料介绍
一、IGBT 驱动
1 驱动电压的选择
IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。
图1 IGBT 驱动电路示意图
Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大
于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时，最
好加一个负偏电压，且负偏电压比MOSFET 大， IGBT 负偏电压最好在-5V~-10V 之内；开通时，驱动电压
最佳值为15V 10％ ,15V 的驱动电压足够使IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效
地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于12V ，则IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱
动状态；若 VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响 IGBT 可靠工作。
2 栅极驱动功率的计算
由于IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但
对于大功率IGBT ，或要求并联运行的IGBT 则需要考虑驱动功率。IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开
通VGE( ON )和关断 VGE( off ) 电压，栅极总电荷 QG 和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率 PAV 计算公
式为：
PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f
对一般情况 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，则 PAV 简化为： PAV =25* QG *f。f 为 IGBT 开关频率。
栅极峰值电流 I GP 为：
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一、IGBT 驱动
1 驱动电压的选择
IGBT 模块 GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图
1 所示。
图 1 IGBT 驱动电路示意图
Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过
于 50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于 IGBT 输入电容较 MOSFET 大，因此 IGBT 关断时，最
好加一个负偏电压，且负偏电压比 MOSFET 大，IGBT 负偏电压最好在 -5V~-10V 之内；开通时，驱动电压
最佳值为 15V 10％,15V 的驱动电压足够使 IGBT 处于充分饱和，这时通态压降也比较低，同时又能有效
Q1，Q2 推挽放大。选择 Q1，Q2 其耐压需大
地限制短路电流值和因此产生的应力。若驱动电压低于
12V ，则 IGBT 通态损耗较大， IGBT 处于欠压驱
动状态；若
VGE >20V ，则难以实现电流的过流、短路保护，影响
IGBT 可靠工作。
2 栅极驱动功率的计算
由于 IGBT 是电压驱动型器件，需要的驱动功率值比较小，一般情况下可以不考虑驱动功率问题。但
对于大功率 IGBT ，或要求并联运行的 IGBT 则需要考虑驱动功率。 IGBT 栅极驱动功率受到驱动电压即开
通
VGE( ON ) 和关断
电压，栅极总电荷
和开关 f 的影响。栅极驱动电源的平均功率
AV 计算公
P
VGE( off )
QG
式为：
=（VGE(ON )
+
）*
*f
PAV
VGE( off )
QG
对一般情况
VGE( ON ) =15V ， GE( off ) =10V ，则
简化为：
=25*
*f 。f 为 IGBT 开关频率。
V
PAV
PAV
QG
栅极峰值电流
GP 为：
I
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