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常用整流二极管型号
资料介绍
整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的
单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反
向电压从25V 到3000V.
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都
用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安） ，但工作频
率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。
整流二极管的选用
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复
时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根
据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如， 1N
系列、2CZ 系列、RLR 系列等。
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向
恢复时间较短的整流二极管（例如RU 系列、EU 系列、V 系列、1SR 系列等）或选择快恢复
二极管。
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2010-03-18 15:04
整流二极管是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件，整流二极管具有明显的
单向导电性，是一种大面积的功率器件，结电容大，工作频率较低，一般在几十千赫兹，反
向电压从 25V 到3000V.
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都
用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安）
率不高，一般在几十千赫兹以下，整流二极管主要用于各种低频整流电路。
，但工作频
整流二极管的选用
整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复
时间等参数。
普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根
据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，
系列、 2CZ 系列、 RLR 系列等。
1N
开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向
恢复时间较短的整流二极管（例如
二极管。
RU 系列、 EU 系列、 V 系列、 1SR 系列等）或选择快恢复
整流二极管的常用参数
（1）最大平均整流电流
IF ：指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由
PN 结的结面积和散热条件决定。 使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，
足散热条件。例如 1N4000系列二极管的 IF 为1A。
并要满
（2）最高反向工作电压
电流(IR) 剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而
的一半作为 (VR)。例如 1N4001的 VR 为50V，1N4007的 VR 为1OOOV
（3）最大反向电流 IR：它是二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反
VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向
引起反向击穿。通常取反向击穿电压
(VB)
映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。
（4）击穿电压 VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则
指给定反向漏电流条件下的电压值。
（5）最高工作频率 fm ：它是二极管在正常情况下的最高工作频率。 主要由 PN 结的结电容及
扩散电容决定， 若工作频率超过 fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。 例如1N4000
系列二极管的 fm 为3kHz。
（6）反向恢复时间 tre：指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
（7）零偏压电容 CO：指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意
的是，由于制造工艺的限制， 即使同一型号的二极管其 参数的离散性也很大。 手册中给出的
参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在
25°C 时测得
1N5200系列硅塑封整流二极 管的 IR 小于1OuA，而在 100°C 时 IR 则变为小于 500uA。
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