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基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制

更新时间:2019-06-12 10:09:08 大小:907K 上传用户:z00查看TA发布的资源 浏览次数:86 下载积分:2分 下载次数:0 次 标签:光电二极管 出售积分赚钱 评价赚积分 ( 如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能,为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管(APD)的主动、被动两种盖革模式电路,设计并实现了输出可调至300.0 V 的高稳定直流高压偏置电源,实测纹波电压小于 20.4 mV,纹波系数小于 6.8×10-5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下,测试了被动盖革模式 APD 的死时间、暗计数和光子计数,给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围;紫外光照下,被动盖革模式 APD 的电路输出脉冲的死时间为 1.0 s。基于被动盖革模式电路测试的参数,研制了主动盖革模式电路,实验结果表明:主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为 102.0 ns,光子计数的上限由被动盖革模式的 1.0 MHz 提高到主动盖革模式的 9.8MHz。因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽,预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求。


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