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电磁兼容（EMC）之RCD设计
资料介绍
电磁兼容（EMC）之RCD设计，很详细的技术资料
MOS管 开/关引起的EMI
我们知道造成EMI的原因是：
电路中di/dt和dv/dt变化快的器件造成的，而电路中的功率MOS正是di/dt和dv/dt变化最快的器件。
在MOS管关断时，由于变压器漏感（Llk）和MOS的COSS之间会存在振荡，这个振荡不但会影响EMI，而且会使MOS管漏极电压升高，形成电压尖峰。
这个尖峰过高可能会造成MOS雪崩击穿而损坏，所以我们需要额外的电路箝位之，使其控制在合理的范围内。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 电磁兼容（EMC）之RCD设计.ppt | 844K |
全部评论(1)
2020-08-01 16:26:36baoyin819
不错，谢谢分享！