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一种高电压CMOS放大器设计方案
资料介绍
解决方案是采用静电计配置的高阻抗放大器，因此来自测试节点的放大器输入电流就微乎其微。为使输入电流值尽可能低，传统上都把场效应晶体管(FET)用在这些电路的输入端。FET一般是低电压器件，并会引起难以消除的电压失调不确定性。虽然具有包括FET输入的单片式放大器，但它们通常是非常低电压的器件 (特别是那些采用典型CMOS制作方法的放大器)，因此其适用范围局限在高电压应用。可以考虑一下LTC6090,这是一款精度在mV以内并能处理超过140VP-P信号摆幅的CMOS放大器，非常适合于解决上述问题。
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| 一种高电压CMOS放大器设计方案.doc | 19K |
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