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94ghz毫米波cmos片上侧射与端射微带天线的研究

更新时间:2019-10-14 22:42:23 大小:8M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 浏览次数:139 下载积分:1分 下载次数:0 次 标签:毫米波cmos天线 出售积分赚钱 评价赚积分 ( 如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

首先,本文第一章介绍了国内外片上天线的研究现状,介绍了基于低阻和高阻基底工艺的片上天线以及当前流行的片上天线技术:例如人工磁导体(AMC)技术与介质谐振技术等。第一章还阐述了系统单芯片集成天线的重要性以及阻碍。第二章简单介绍了本文天线用到的工艺和主要技术。CMOS工艺虽拥有多优势,但是其运用的低阻抗硅基底给片上天线研究带来很大的困难,因为它给片上天线的辐射造成了严重的损耗。介质谐振是本文用于提高片上天线的效率与增益,获得理想方向图的关键手段,不同的谐振模式、好的设计能够使片上天线性能实现质的飞跃,弥补低阻硅带来的缺陷。

本文第三章我们介绍了94GHz微带片上天线设计的基本思路和片上天线测试方案,与现今主流的片上天线设计思路不同,微带天线技术为本文片上天线的设计提供了思路,因为其金属地的结构可以对天线辐射方向有一定的限定作用,从而减少低阻硅带来的损耗。并且运用微带型式可以使设计成本大大降低,增加了集成的灵活度,并且同时片上天线获得了良好的性能。我们验证了二氧化硅(SiO2)层的厚度的增加会使微带结构片上天线的增益提高。第四章我们对相同结构天线加载不同的矩形介质块,对不同天线结构加载相同矩形介质块,得到了性能更好的片上天线,他们的尺寸非常小,并且拥有很宽的绝对带宽和侧射与端射的性能,并且在二氧化硅层非常薄的情况下达到了较高的效率与增益。


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