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013μm+CMOS工艺下电子可编程熔丝研究与设计

更新时间:2019-06-18 05:35:18 大小:14M 上传用户:sun2152查看TA发布的资源 浏览次数:49 下载积分:1分 下载次数:0 次 标签:cmos电子可编程熔丝 出售积分赚钱 评价赚积分 ( 如何评价?) 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

鉴于传统熔丝的制造工艺与目前标准CMOS逻辑制造工艺不兼容,已成为制约集成电路发展的重要问题,因此,新兴的电子可编程熔丝efuse取代传统熔丝,成为该领域的研究热点。

本文详细介绍电子可编程熔丝的工作原理,并分析影响其性能及可靠性的相关因素:设计了三种efuse外围电路;然后在此基础上,对整体电路以及关键部件参数进行仿真验证:最后基于SMIC0.13um标准CMOS工艺进行版图设计并流片测试。

经过流片,对efuse的可靠性和efuse电路两方面测试结果表明:cfuse在HTS测试中坏点率为150PPM(225℃,250hrs);DTC测试中坏点率仅为3PPM(-65℃~~

150℃,500cycles)且具有耐温耐压的特性。三种efuse外围电路经过测试对比,最后选择第一种efuse电路作为最终电路,其中在3.3V、lus的条件下,编译后的所有熔丝都达到10KQ以上:在3.63V、lus的条件下,编译熔丝达到50KQ以上。


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